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產(chǎn)品中心光譜系統(tǒng)顯微缺陷膜厚橢偏儀 FE-5000/5000S
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
●可在紫外和可見(jiàn)（250至800nm）波長(zhǎng)區(qū)域中測(cè)量橢圓參數(shù)●可分析納米級(jí)多層薄膜的厚度●可以通過(guò)超過(guò)400ch的多通道光譜快速測(cè)量Ellipso光譜●通過(guò)可變反射角測(cè)量，可詳細(xì)分析薄膜●通過(guò)創(chuàng)建光學(xué)常數(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)和追加菜單注冊(cè)功能，增強(qiáng)操作便利性●通過(guò)層膜貼合分析的光學(xué)常數(shù)測(cè)量可控制膜厚度/膜質(zhì)量
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包括s波和p波的線性偏振光入射到樣品上，對(duì)于反射光的橢圓偏振光進(jìn)行測(cè)量。s波和p波的位相和振幅獨(dú)立變化，可以得出比線性偏振光中兩種偏光的變換參數(shù)，即p波和S波的反射率的比tanψ相位差Δ。
| 型號(hào) | FE-5000S | FE-5000 |
|---|---|---|
| 測(cè)量樣品 | 反射測(cè)量樣品 | |
| 樣品尺寸 | 100×100毫米 | 200×200毫米 |
| 測(cè)量方法 | 旋轉(zhuǎn)分析儀方法*1 | |
| 測(cè)量膜厚范圍（ND） | 0.1納米- | |
| 入射（反射）的角度范圍 | 45至90° | 45至90° |
| 入射（反射）的角度驅(qū)動(dòng)方式 | 自動(dòng)標(biāo)志桿驅(qū)動(dòng)方法 | |
| 入射點(diǎn)直徑*2 | 關(guān)于φ2.0 | 關(guān)于φ1.2sup*3 |
| tanψ測(cè)量精度 | ±0.01以下 | |
| cosΔ測(cè)量精度 | ±0.01以下 | |
| 薄膜厚度的可重復(fù)性 | 0.01％以下*4 | |
| 測(cè)定波長(zhǎng)范圍*5 | 300至800納米 | 250至800納米 |
| 光譜檢測(cè)器 | 多色儀（PDA，CCD） | |
| 測(cè)量用光源 | 高穩(wěn)定性氙燈*6 | |
| 平臺(tái)驅(qū)動(dòng)方式 | 手動(dòng) | 手動(dòng)/自動(dòng) |
| 裝載機(jī)兼容 | 不可 | 可 |
| 尺寸，重量 | 650（W）×400（D）×560（H）mm 約50公斤 | 1300（W）×900（D）×1750（H）mm 約350公斤*7 |
| 軟件 | ||
| 分析 | 最小二乘薄膜分析（折射率模型函數(shù)，Cauchy色散方程模型方程，nk-Cauchy色散模型分析等） 理論方程分析（體表面nk分析，角度依賴同時(shí)分析） | |
*1可以驅(qū)動(dòng)偏振器，可以分離不感帶有效的位相板。
*2取決于短軸?角度。
*3對(duì)應(yīng)微小點(diǎn)（可選）
*4它是使用VLSI標(biāo)準(zhǔn)SiO2膜（100nm）時(shí)的值。
*5可以在此波長(zhǎng)范圍內(nèi)進(jìn)行選擇。
*6光源因測(cè)量波長(zhǎng)而異。
*7選擇自動(dòng)平臺(tái)時(shí)的值。
作為用于液晶顯示器等的透明電極材料ITO（氧化銦錫），在成膜后的退火處理（熱處理）可改善其導(dǎo)電性和色調(diào)。此時(shí)，氧氣狀態(tài)和結(jié)晶度也發(fā)生變化，但是這種變化相對(duì)于膜的厚度是逐漸變化的，不能將其視為具有光學(xué)均勻組成的單層膜。
以下介紹對(duì)于這種類型的ITO，通過(guò)使用梯度模型，從上界面和下界面的nk測(cè)量斜率。
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使用多點(diǎn)相同分析測(cè)量未知的超薄nk[FE-0014]
為了通過(guò)擬合最小二乘法來(lái)分析膜厚度值（d）需要材料nk。如果nk未知，則d和nk都被分析為可變參數(shù)。然而，在d為100nm或更小的超薄膜的情況下，d和nk是無(wú)法分離的，因此精度將降低并且將無(wú)法求出精確的d。在這種情況下，測(cè)量不同d的多個(gè)樣本，假設(shè)nk是相同的，并進(jìn)行同時(shí)分析（多點(diǎn)相同分析），則可以高精度、精確地求出nk和d。
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